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深圳市昂捷电子有限公司
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昂捷热卖!CSD16321Q5专注TI十年,品质服务始终如一!
发布时间: 2015/6/3 17:06:30 | 426 次阅读
数据列表 |
CSD16321Q5 |
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产品相片 |
8-Power TDFN |
产品培训模块 |
NexFET MOSFET Technology |
视频文件 |
NexFET Power Block PowerStack™ Packaging Technology Overview |
设计资源 |
Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer |
PCN 设计/规格 |
Qualification Revision A 01/Jul/2014 |
PCN 组件/产地 |
Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014 Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015 |
制造商产品页 |
CSD16321Q5 Specifications |
标准包装 | 2,500 |
类别 |
分立半导体产品 |
家庭 |
FET - 单 |
系列 | NexFET™ |
包装 | 带卷(TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 31A(Ta),100A(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) | 2.4 毫欧 @ 25A,8V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | 1.4V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 12.5V |
功率 - 值 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 8-SON |
产品目录页面 |
1623 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 296-24517-2 |
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